Lanying Lin (treslliteración 林兰英)), foi una científica china nel campu de la inxeniería de materiales.Guo, Kemi (1998). "Lanying Lin". Nació en Putian, provincia Fujian, sur de China. Ye considerada la Madre de los Materiales Aeroespaciales y la Madre de los Materiales Semiconductores en China. Nació nuna familia prestixosa, fondamente influyida pola creencia de que la muyer nun precisaba una educación. Por ello, nun asistió a la escuela primaria. Pero ella lluchó contra la so familia por un cambéu y consiguió la posibilidá d'empecipiar una educación formal. Graduar pola Universidá cristiana de Fujian, con un grau de B.A. en Física."Fukien Christian University". A los trenta años, asistió a la Dickinson University y ganó otru grau en matemátiques. En 1955, recibió'l doctoráu en Física del estáu sólidu pola Universidá de Pennsylvania, convirtiéndose na primer persona china en cien años en ganar el doctoráu nesa universidá. En 1957, tornó a China y foi asignada pa ser investigadora nel Institutu de Física CAS. Depués camudóse al Institutu de Semiconductores CAS y ocupó tola so vida con investigaciones nesa institución.
Opiniones sobre asuntos de xéneruGuo, Kemi (1998). Mientres la so vida, encaró munches dificultaes por ser muyer. Dempués de volver d'EEXX, xunir a la Federación de Muyeres de China.Chen, Chen (1996). Dio munches conferencies y falaba sobre asuntos de xéneru. Creyó que nel campu de la ciencia, muyeres y homes son iguales.
Atribuciones y honores 1957: fixo'l primera xermaniu monocristalino (N-estilu y P-estilu) en China, sentando les bases pal desenvolvimientu de la radio a transistores. 1958: fabrica'l antimoniuro de galio monocristalino 1958: payares, fabricáu'l primera siliciu cristalino 1959: fixo'l sulfuru de cadmiu cristalín 1960: fixo los materiales estensos pal siliciu * 1962: fabrica'l primer fornu monocristalino llamáu TDK en China * 1962: fabrica'l primer siliciu monocristalino ensin malposición en China * 1962: produzse'l primera antimoniuro d'indiu monocristalino cola mayor purificación 1962: primer arseniuru de galiu monocristalino 1963: fabrica'l primera láser semiconductor en China * 1963: fabrica siliciu altamente purificado y recibe el segundu premiu de los Llogros Nacionales en Ciencia y Teunoloxía 1964: Diseña'l procesu de faer siliciu con baxa malposición y recibe el segundu premiu de Los Llogros Nacionales de Ciencia y Teunoloxía 1974: fabrica'l primera arseniuru de galiu monocristalino ensin malposición 1978: recibe'l CAS Llogros Importantes del Premiu de Ciencia y Teunoloxía 1981: fabrica'l circuitu integráu y recibe el CAS Llogros Importantes del Premiu de Ciencia y Teunoloxía 1986: realiza'l circuitu integráu SOS-CMOS y recibe el tercer premiu de Los Llogros Nacionales en Ciencia y Teunoloxía 1989: investigación sobre l'estensu material GaInAsSb/InP y recibe el segundu premiu de Los Llogros Nacionales de Ciencia y Teunoloxía 1989: realizó con ésitu l'esperimentu de fundir el arseniuru de galiu en satélites artificiales y recibe el tercer premiu de Los Llogros Nacionales de Ciencia y Teunoloxía 1990-1991: recibió'l tercer premiu de Los Llogros Nacionales de Ciencia y Teunoloxía cuatro vegaes 1991: fixo un satélite con cinco circuitos distintos del circuitu integráu SOS-CMOS 1992: fixo'l fosfuro d'indiu monocristalino 1998: fixo célules solares de arseniuru de galiu licuando los materiales estensos 1990-2000: lideró la investigación en SIC, material de GaN y plantegó la nueva teunoloxía de crecedera en materiales d'alta temperatura
Actividaes polítiques 1962: vicepresidenta de la Federación Xuvenil de toa China * 1964: avientu, diputada al congresu de la Tercer Asamblea Popular Nacional y miembru permanente de la Comisión del congresu de l'Asamblea Popular Nacional 1975: xineru, diputada al congresu de la Cuarta Asamblea Popular Nacional 1978: febreru, diputada al congresu de l'Asamblea Popular Nacional 1978: hasta setiembre de 1983, miembru de la federación de Muyeres de toa China (ACWF) 1978: miembru del comité del Institutu chinu d'Electrónica (CIE) 1979: xunetu, direutora xestora del Institutu chinu d'Electrónica (CIE) 1980: abril, segunda vicepresidenta de l'Asociación China pa la Ciencia y Teunoloxía (CAST) 1981: mayu, direutora xestora del departamentu de teunoloxía de l'Academia china de Ciencia (CAS) 1982: setiembre, delegada de la Docena Conferencia Nacional del Pueblu celebrada pol Partíu Comunista de China (CCP) 1983: mayu, diputada al congresu de La Sexta Asamblea Popular Nacional 1986: tercer vicepresidenta de l'Asociación China pa Ciencia y Teunoloxía (CAST) 1988: marzu, diputada na Séptima Asamblea Nacional Popular y miembru de la Comisión permanente del congresu de l'Asamblea Nacional Popular 1988: Direutora honoraria del Institutu chinu d'Electrónica (CIE) 1991: cuarta vicepresidenta de l'Asociación China pa Ciencia y Teunoloxía (CAST) 1993: marzu, diputada na Octava Asamblea Nacional Popular y miembru de la Comisión permanente del congresu de l'Asamblea Nacional Popular 1996: Direutora del Llaboratoriu Nacional Clave en microgravedad
Delles publicacionesLin, Lanying (1992). Dislocations Y Bastia en Semi-Galio Aislante Arsenide Reveló por Ultrasónicu Abrahams-Buiocchi AguafuerteChen, Nuofu; He, Hongjia; Wang, Yutian; Pan, Kun; Lin, Lanying (1996-10-01). Defectos estequiométricos en Semi-Aislantes GaAs Chen, NuoFu; He, Hongjia; Wang, Yutian; Lin, Lanying (1997-04-01). Interfaz Roughness Espardiendo en GaAs-AlGaAs Modulación-Dopado HeterostructuresYang, Bin; Cheng, Yong-hai; Wang, Zhan-guo; Liang, Ji-ben; Liao, Qi-wei; Lin, Lan-ying; Zhu, Zhan-ping; Xu, Bo; Li, Wei (1994-12-26). Crecedera de GaAs Cristales Solos en Gravedá AltaZhou, Bojun; Cao, Funian; Lin, Lanying; Ma, Wenju; Zheng, Yun; Tau, Feng; Xue, Minglun (1994-01-01). Meyora de Estequiometría en Semi-Galio Aislante Arsenide Crecíu so MicrogravityLin, Lanying; Zhong, Xingru; Chen, NuoFu (1998-07-15). Magnetospectroscopy D'Atáu Phonons en Pureza Alta GaAsChen, NuoFu; Wang, Yutian; He, Hongjia; Lin, Lanying (1996-09-15). Influencia de #DX centros nel AlxGa12xAs barrera na densidá de temperatura baxo y movilidá del gas d'electrón bidimensional en GaAs/AlGaAs modulación-dopado heterostructureYang, Bin; Wang, Zhan-guo; Cheng, Yong-hai; Liang, Ji-ben; Lin, Lan-ying; Zhu, Zhan-ping; Xu, Bo; Li, Wei (1995-03-13). Influencia del semi-aislante GaAs Schottky plataforma nel Schottky barrera na capa activa Wu, J.; Wang, Z. G.; Lin, L. Y.; Han, C. B.; Zhang, M.; Bai, S. W. (1996-04-29). Backgating Y Sensibilidá Llixera en GaAs Metal-Transistores d'Efeutu de Campu de Semiconductor Li, Rui-Gang; Wang, Zhan-Guo; Liang, Ji-Ben; Ren, Guang-Bao; Fan, Ti-Wen; Lin, Lan-Ying (1995-05-01). Dependencia d'Enerxía del fotón de SW Efeutu en α-Si:H PelículesTian, J.F.; Jiang, D.S.; Zeng, B.R.; Huang, Lin; Kong, G.L.; Lin, L.Y. "Photon energy dependence of SW effect in a-Si:H films". 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Bien embaxo-presión VLP-CVD crecedera calidable alta γ-Al2O3películes enriba siliciu por multi-proceso de camínTan, Liwen; Zan, Yude; Wang, Jun; Wang, Qiyuan; Yu, Yuanhuan; Wang, Shurui; Liu, Zhongli; Lin, Lanying (2002-03-01). Dalguna observación nueva na formación y propiedaes óptiques de CdS grupos en zeolita-YChen, Wei; Lin, Zhaojun; Wang, Zhanguo; Lin, Lanying (1996-10-01). Absorción spectra de Segrupos de 8 aniellos en zeolita 5UnLin, Zhaojun; Wang, Zhanguo; Chen, Wei; Lin, Lanying; Li, Guohua; Liu, Zhenxian; Han, Hexiang; Wang, Zhaoping (1997-06-15). Crecedera de GaSb y GaAsSb na rexón de fase sola por MOVPELu, Da-cheng; Liu, Xianglin; Wang, Du; Lin, Lanying (1992-11-01). Crecedera y propiedaes de pureza alta LPE-GaAsLanying, Lin; Zhaoqiang, Fang; Bojun, Zhou; Suzhen, Zhu; Xianbi, Xiang; Rangyuan, Wu. "Growth and properties of high purity LPE-GaAs". Centros de color nuevu y photostimulated luminiscencia de BaFCl:Eu2+Chen, Wei; Wang, Zhanguo; Lin, Lanying; El so, Mianzeng (1998-01-01). Channeling Analís de self-enllantáu y recrystallized siliciu enriba zafiruRenyong, Fan; Yuanhuan, Yu; Shiduan, Yin; Lanying, Lin. Semi-Aislante GaAs crecíu n'espaciu esteriorChen, NuoFu; Zhong, Xingru; Lin, Lanying; Xie, Xie; Zhang, Mian (2000-06-01). Irradiación de neutrón indució photoluminescence de cristal de siliciu crecío n'hidróxenu ambientalLei, Zhong; Zhanguo, Wang; Shouke, Wan; Lanying, Lin. La influencia de grosez en propiedaes de GaN buffer capa y fuertemente Si-dopó GaN crecíu por metalorganic vapor-fase epitaxyLiu, Xianglin; Wang, Lianshan; Lu, Da-Cheng; Wang, Du; Wang, Xiaohui; Lin, Lanying (1998-06-15). La dependencia d'índiz de crecedera de GaN buffer capa enriba parámetros de crecedera por metalorganic vapor-fase epitaxyLiu, Xianglin; Lu, Da-Cheng; Wang, Lianshan; Wang, Xiaohui; Wang, Du; Lin, Lanying (1998-09-15). 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