miniatura|Fig.1 Exemple de tecnologia de 45 nm : IBM Cell-45 TecnologiaAny10 um19716 um19743 um19771,5 um19821 um1985800 nm1989600 nm1994350 nm1995250 nm1997180 nm1999130 nm200190 nm200465 nm200645 nm200832 nm201022 nm201214 nm201410 nm20177 nm20185 nm2020 45 nanòmetres (45 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 45 nm. És una millora de la tecnologia de 65 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de .
Història 2004 : primeres demos de TSMC 2006 : demos d'Intel, AMD, Texas Instruments, UMC
2007 : Matsushita i Intel comercialitzen IC amb tecnologia de 45 nm 2008 : AMD produeix processadors. SMIC amb tecnologia d'IBM
Tecnologia emprada Tecnologia de materials amb dielèctric high-k Litografia amb llum de major freqüència Double patterning
Processadors FabricantDataCPUNotesMatsushita2007UniphierIntel2007Core i5-750 i i7AMD2007Phenom II6 coresTexas Instruments2007OMAP 3 i 4IBM2007Power7
FabricantIntelFujitsuTIToshiba / Sony / NECSamsungIBM / Toshiba / Sony / AMDNom del procésP1266CS-30011LPPrimera producció200620082008200620072007TipusBulkPDSOIOblia300mmValor65 nm ΔValor65 nm ΔValor65 nm ΔValor65 nm ΔValor65 nm ΔValor65 nm ΔPas de contacte de porta180 nm0.82x190 nm ?x ? nm ?x180 nm ?x ? nm ?x190 nm0.76xPas de connexió160 nm0.76x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?xCel·lula 1 bit de RAM (HD)0.346 µm²0.61x0.225 µm² ?x0.255 µm² ?x0.248 µm² ?x0.29 µm²0.54x0.370 µm²0.57xCel·lula 1 bit de RAM (LP)0.382 µm²0.56x0.359 µm²0.53xCel·lula 1 bit de DRAM0.11 µm²0.58x0.067 µm²0.53x
Vegeu també Circuit integrat Tecnologia SOI Tecnologia Dielèctric high-k
Referències
Categoria:Tecnologia de fabricació de circuits integrats