miniatura|Fig.1 Exemple de tecnologia de 65 nm : Texas Instruments OMAP TecnologiaAny10 um19716 um19743 um19771,5 um19821 um1985800 nm1989600 nm1994350 nm1995250 nm1997180 nm1999130 nm200190 nm200465 nm200645 nm200832 nm201022 nm201214 nm201410 nm20177 nm20185 nm2020 65 nanòmetres (65 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 65 nm. És una millora de la tecnologia de 90 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de . Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 100 àtoms de largada.
Història El 2007, Intel, AMD, IBM, UMC, Chartered i TMSC produeixen circuits integrtas amb tecnologia 65 nm.
Tecnologia emprada Tensió del nucli : 1.0V Gruixos de porta de transistor tant petit com 1,2nm. Materials dielèctrics de low-k (k=2,25) per a reduir les capacitats paràsites entre transistors. Materials dielèctrics de high-k per a augmentar la capacitat de porta dels transistors.
Processadors icantDataCPUNotesIntel2006Pentium 4, DIntel2006Celeron DIntel2006Core, 2Intel2006XeonAMD2007Athlon 64AMD2007Turion 64 X2AMD2007PhenomIBM2007Cell, z10Microsoft2008Falcon, Opus, JasperSun2007UltraSPARC T2AMD2008Turion UltraTI2008OMAP 3
FabricantIntelIBM / Toshiba / Sony / AMDTIIBM / Chartered / Infineon / SamsungTSMCFujitsuNom del procésP1264CS-200/CS-201/CS-250Primera producció200520052007200520052006Tipus300mmOblia810111011Capes de MetalValue90 nm ΔValue90 nm ΔValue90 nm ΔValue90 nm ΔValue90 nm ΔValue90 nmΔ 220 nm0.85x250 nm ?x ? nm ?x200 nm0.82x160 nm0.67x ? nm ?xPas de contacte de porta210 nm0.95x ? nm ?x ? nm ?x180 nm0.73180 nm0.75x ? nm ?xPas de connexió0.570 µm²0.57x0.540 µm²0.49 µm²0.540 µm²0.55x0.499 µm²0.50xCel·lula 1 bit de RAM0.680 µm²0.65 µm²0.65x0.49 µm²0.676 µm²0.54x0.525 µm²0.53x ? µm² ?xCel·lula 1 bit de DRAM0.127 µm²0.67x0.189 µm²0.69x
Vegeu també Circuit integrat Tecnologia Dielèctric low-k Tecnologia Dielèctric high-k
Referències
Categoria:Tecnologia de fabricació de circuits integrats