miniatura|Fig.1 Exemple de tecnologia de 180 nm : Intel Coppermine TecnologiaAny10 um19716 um19743 um19771,5 um19821 um1985800 nm1898600 nm1994350 nm1995250 nm1997180 nm1999130 nm200190 nm200465 nm200645 nm200832 nm201022 nm201214 nm201410 nm20177 nm20185 nm2020 180 nanòmetres (180 nm) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 180 nm. És una millora de la tecnologia de 250 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de . Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 331 àtoms de llargada.
Tecnologia emprada Aquesta tecnologia va ser la primera on la longitud de porta dels transistors (180 nm) era més curta que la llum utilitzada en la litografia (193 nm).
Tecnologia de litografia millorada.
Processadors FabricantDataCPUNotesIntel1999CoppermineAMD2000Athlon ThunderbirdIntel2002CeleronMotorola2002PowerPC 7445, 7455
FabricantIntelFujitsuTSMCMotorolaIBMNECSamsungTITIAMDNom del procésP858CS-80HiPerMOS 6CMOS-8S3C07aGS30Primera producció199920002000200019982000200120001999Capes de Metal7667765 Value250 nm ΔValue250 nm ΔValue250 nm ΔValue220 nm ΔValue250 nm ΔValue250 nm ΔValue250 nm ΔValue250 nm ΔValue250 nm ΔValue250 nm ΔPas de contacte de porta480 nm0.96x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?xPas de connexió500 nm0.82x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?x ? nm ?xCel·lula 1 bit de RAM5.59 µm²0.54x4.18 µm² ?x4.65 µm²0.62x ? µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?x
Vegeu també Circuit integrat Tecnologia litogràfica
Referències
Categoria:Tecnologia de fabricació de circuits integrats