miniatura|387x387px|Esquema del model Spice Gummel–Poon NPN. El model Gummel-Poon (SGP) és un model del transistor d'unió bipolar. Va ser descrit per primera vegada en un article publicat per Hermann Gummel i HC Poon als laboratoris Bell el 1970.H. K. Gummel and H. C. Poon, "An integral charge control model of bipolar transistors", Bell Syst. Tech. J., vol. 49, p. 827–852, May–June 1970.
El model Gummel-Poon i les seves variants modernes s'utilitzen àmpliament en els simuladors de circuits populars com SPICE. Un efecte significatiu que explica el model Gummel-Poon és la variació del transistor i valors amb el nivell de corrent continu. Quan s'ometen determinats paràmetres, el model Gummel–Poon es redueix al model Ebers–Moll més senzill.H. K. Gummel and H. C. Poon, "An integral charge control model of bipolar transistors", Bell Syst. Tech. J., vol. 49, p. 827–852, May–June 1970.
S'han presentat models BJT millorats (Turgeon, 1980; Kull, 1985; de Graaff, 1985; Stubing, 1987; Jeong, 1989), però cap s'ha convertit en un estàndard de la indústria per substituir el Model SGP. VBIC (que significa el model Vertical Bipolar Inter-Company) va ser definit per un grup de representants de les indústries IC i CAD per intentar rectificar aquesta situació. VBIC és domini públic i el codi font complet està disponible públicament. VBIC també és tan semblant com possible al model SGP, per aprofitar els coneixements existents i la formació de caracterització i enginyers de disseny d'IC.
Paràmetres del model Paràmetres del model Spice Gummel–PoonSummary of model with schematics and equations. #NomPropietat modeladaParàmetre1IScorrentcorrent de saturació de transport2BFcorrentbeta directa ideal màxima3NFcorrentcoeficient d'emissió de corrent directe4VAFcorrentvoltatge previ directe5IKFcorrentcantonada per beta-directa alt-corrent6ISEcorrentcorrent de satuació de fuita B-E7NEcorrentcoeficient d'emissor de fuita B-E8BRcorrentbeta en inversa ideal màxima9NRcorrentcoeficient d'emissió de corrent invers10VARcorrentvoltatge previ en inversa11IKRcorrentcantonada per beta-inversa alt-corrent12ISCcorrentcorrent de saturació de fuita B–C13NCcorrentcoeficient d'emissió de fuita B–C14RBresistènciaresistència de base de polaritat zero15IRBresistènciacorrent on el corrent de base cau a la meitat del mínim16RBMresistènciaresistència de base mínima a alts corrents17REresistènciaresistència d'emissor18RCresistènciaresistència de col·lector19CJEcapacitatcapacitat de deplexió B–E sense polaritat20VJEcapacitatpotencial d'inici B–E21MJEcapacitatfactor exponencial d'unió B–E22TFcapacitattemps de trànsit directe ideal23XTFcapacitatcoeficient per polaritat TF24VTFcapacitatvoltatge que descriu VBC depenent de TF25ITFcapacitatparàmetre d'alt corrent pe refecte a TF26PTFfase en excès a la frequència = 1/(2π TF)27CJCcapacitatcapacitat de deplexió B–C sense polaritat28VJCcapacitatpotencial inicial B–C29MJCcapacitatfactor exponencial d'unió B–C30XCJCcapacitatfracció de la capacitat de deplexió connectada al node base31TRcapacitattemps de trànsit en inversa ideal32CJScapacitatcapacitat de col·lector-substracte sense polaritat33VJScapacitatpotencial inicial d'unió-substracte34MJScapacitatfactor exponencial d'unió-substracte35XTBexponent de temperatura de beta inversa i directa36EGespai d'energia per l'efecte de temperatura d'IS37XTIexponent de temperatura per efecte d'IS38KFcoeficient de soroll de panpalluga39AFexponent de soroll de panpalluga40FCcoeficient per la fórmula de capacitat de deplexió amb polarització directa41TNOMtemperatura de mesura de paràmetres
Referències
Categoria:Electrònica