thumb|Tipos de memoria RAM con tecnologías usadas en la actualidad. La memoria de acceso aleatorio (por sus siglas en inglés Random Access Memory, RAM) es una memoria de almacenaje a corto plazo. El sistema operativo de computadoras u otros dispositivos utiliza la memoria RAM para guardar de forma temporal todos los programas y sus procesos de ejecución. En la RAM se cargan todas las instrucciones que ejecuta la unidad central de procesamiento (CPU) y otras unidades de la computadora, además de contener los datos que manipulan los distintos programas.
Se llama «de acceso aleatorio» porque se puede leer o escribir en una posición de memoria con igual tiempo de espera para cualquier posición, no requiriendo un orden para acceder (acceso secuencial) a la información de la manera más rápida posible.
Durante el encendido de la computadora, la rutina POST verifica que los módulos de RAM estén bien conectados. En el caso de que no existan o no se los detecte, la mayoría de las placas base emiten sonidos que indican la ausencia de la memoria principal. Terminado ese proceso, la memoria BIOS puede realizar un test básico de la RAM indicando fallos mayores en ella.
Historia thumb|Memoria electrónica. thumb|4MiB de memoria RAM para computadora VAX de fines de los 70. Los integrados de memoria DRAM se agrupan arriba, a derecha e izquierda. thumb|Módulos de memoria tipo SIPP, directamente instalados sobre la placa base. thumb|Módulos formato SIMM de 30 y 72 pines, los últimos fueron utilizados con integrados tipo EDO-RAM.
En 1947, Tom Kilburn, Frederic Calland Williams y Geoff Tootill de la Universidad de Mánchester desarrollaron la primera memoria RAM práctica, el Tubo Williams (Williams tube), La memoria estaba construido a partir de un tubo de rayos catódicos y se utilizó con éxito en el primer computador del mundo con programa almacenado, el Manchester Baby en 1948.
Uno de los primeros tipos de memoria RAM fue la memoria de núcleo magnético, desarrollada entre 1949 y 1952 y usada en muchos computadores hasta el desarrollo de circuitos integrados a finales de los años 60 y principios de los 70. Esa memoria requería que cada bit estuviera almacenado en un toroide de material ferromagnético de algunos milímetros de diámetro, lo que resultaba en dispositivos con una capacidad de memoria muy pequeña. Antes que eso, las computadoras usaban relés y líneas de retardo de varios tipos construidas para implementar las funciones de memoria principal con o sin acceso aleatorio.
En 1969 fueron lanzadas una de las primeras memorias RAM basadas en semiconductores de silicio por parte de Intel Corporation con el integrado 3101 de 64 bits de memoria y para el siguiente año se presentó una memoria DRAM de 1024 bits, referencia 1103 que se constituyó en un hito, ya que fue la primera en ser comercializada con éxito, lo que significó el principio del fin para las memorias de núcleo magnético. En comparación con los integrados de memoria DRAM actuales, la 1103 es primitiva en varios aspectos, pero tenía un desempeño mayor que la memoria de núcleos.
En 1973 se presentó una innovación que permitió otra miniaturización y se convirtió en estándar para las memorias DRAM: la multiplexación en tiempo de la direcciones de memoria. Mostek lanzó la referencia MK4096 de 4096 bytes en un empaque de 16 pines, mientras sus competidores las fabricaban en el empaque DIP de 22 pines. El esquema de direccionamiento se convirtió en un estándar de facto debido a la gran popularidad que logró esta referencia de DRAM. Para finales de los 70 los integrados eran usados en la mayoría de computadores nuevos, se soldaban directamente a las placas base o se instalaban en zócalos, de modo que ocupaban un área extensa de circuito impreso. Luego se hizo obvio que instalar la RAM en el impreso principal impedía miniaturizar, entonces se idearon los primeros módulos de memoria como el SIPP, usando las ventajas de la construcción modular. El formato SIMM fue una mejora al anterior. Eliminó los pines metálicos y dejó áreas de cobre en uno de los bordes del impreso, muy similares a los de las tarjetas de expansión, de hecho los módulos SIPP y los primeros SIMM tienen igual distribución de pines.
A fines de los 80 el aumento de velocidad de los procesadores y el aumento en el ancho de banda requerido, dejaron atrás a las memorias DRAM con el esquema original MOSTEK, de manera que se realizaron mejoras en el direccionamiento como las siguientes:
Durante la segunda mitad de 2025, los precios de la RAM subieron entre 30% y 60% en el mercado y, en algunos casos, los chips usados para unidades SSD se duplicaron de precio. La relación entre ambos casos es la demanda de los centros de datos enfocados en IA generativa. Para 2026, se prevé que la producción de memorias avanzadas, como HBM, esté totalmente comprometida, ya que la de NAND de alta densidad se ha vendido por adelantado y hasta los módulos DDR5 y LPDDR para teléfonos tendrían una disponibilidad limitada. Este efecto también impactaría a los precios de PCs, laptops, teléfonos inteligentes, servidores para pequeñas empresas y hasta los sistemas de almacenamiento doméstico que serían más caros para el consumidor común.
FPM RAM Fast Page Mode RAM (FPM-RAM) fue inspirado en técnicas como el Burst Mode usado en procesadores como el Intel 486. Se implantó un modo direccionador en el que el controlador de memoria envía una sola dirección y recibe a cambio esa y varias consecutivas sin necesidad de generar todas. Esto ahorra tiempos, ya que ciertas operaciones son repetitivas al querer acceder a muchas posiciones seguidas. Es como si deseáramos visitar todas las casas en una calle: tras la primera vez no sería necesario decir el número de la calle, sino sólo seguir la misma. Se fabricaban con tiempos de acceso de 70 o 60 ns y fueron muy populares en sistemas basados en el 486 y primeros Pentium.
EDO RAM Extended Data Output RAM (EDO-RAM) fue lanzada al mercado en 1994 y con tiempos de accesos de 40 o 30 no suponía una mejora sobre FPM, su antecesora. La EDO, también es capaz de enviar direcciones contiguas pero direcciona la columna que va a utilizar mientras se lee la información de la columna anterior, resultando en eliminar estados de espera manteniendo activo el búfer de salida hasta que comienza el próximo ciclo de lectura.
BEDO RAM Burst Extended Data Output RAM (BEDO-RAM) fue la evolución de la EDO-RAM y competidora de la SDRAM, fue presentada en 1997. Era un tipo de memoria que usaba generadores internos de direcciones y accedía a más de una posición de memoria en cada ciclo de reloj, de manera que lograba un 50 % de beneficios, mejor que la EDO. No se comerció, pues Intel y otros fabricantes se decidieron por esquemas de memoria síncronos que si bien tenían mucho del direccionamiento MOSTEK, sumaban funciones distintas como señales de reloj, entre otras.
Tipos de RAM
Las tres formas principales de RAM moderna son: SRAM (Static Random Access Memory), RAM estática, memoria estática de acceso aleatorio. volátiles. no volátiles: NVRAM (non-volatile random access memory), memoria de acceso aleatorio no volátil MRAM (magnetoresistive random-access memory), memoria de acceso aleatorio magnetorresistiva o magnética DRAM (Dynamic Random Access Memory), RAM dinámica, memoria dinámica de acceso aleatorio. DRAM Asincrónica (Asynchronous Dynamic Random Access Memory), memoria de acceso aleatorio dinámica asincrónica. FPM RAM (Fast Page Mode RAM) EDO RAM (Extended Data Output RAM) SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory), memoria de acceso aleatorio dinámica sincrónica Rambus: RDRAM (Rambus Dynamic Random Access Memory) XDR DRAM (eXtreme Data Rate Dynamic Random Access Memory) XDR2 DRAM (eXtreme Data Rate two Dynamic Random Access Memory) SDR SDRAM (Single Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory, SDRAM de tasa de datos simple) DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory, SDRAM de tasa de datos doble) DDR2 SDRAM (Double Data Rate type two SDRAM, SDRAM de tasa de datos doble de tipo dos) DDR3 SDRAM (Double Data Rate type three SDRAM, SDRAM de tasa de datos doble de tipo tres) DDR4 SDRAM (Double Data Rate type four SDRAM, SDRAM de tasa de datos doble de tipo cuatro). DDR5 SDRAM (Double Data Rate type five SDRAM, SDRAM de tasa de datos doble de tipo cinco). VRAM (Video Random Access Memory) memoria gráfica de acceso aleatorio es un tipo de memoria RAM que utiliza el controlador gráfico para poder manejar toda la información visual que le envía la CPU del sistema. La principal característica de esta clase de memoria es que es accesible de forma simultánea por dos dispositivos. De esta manera, es posible que la CPU grabe información en ella, mientras se leen los datos que serán visualizados en el monitor en cada momento.Por esta razón también se clasifica como Dual-Ported. En un principio (microprocesadores de 8 bits) e llamaba así a la memoria solo accesible directamente por el procesador gráfico, debiendo la CPU cargar los datos a través de él. Podía darse el caso de equipos con más memoria VRAM que RAM (como algunos modelos japoneses de MSX2 , que contaban con 64 KiB de RAM y 128 KiB de VRAM). Tipos de VRAM: SONIC (serial s memory): el módulo SAM (usualmente en la forma de un registro linear) no es cambiado por los cálculos y contiene los datos que van a ser utilizados por el RAMDAC. Esto lo convierte en memoria secuencial, que al contrario de la RAM de datos solo puede ser evaluada sucesivamente (de un modo similar a una casete. La SAM puede seleccionarse mucho más rápidamente que la RAM, pues en principio no necesita cálculos de direccionamiento.
Nomenclatura
La expresión memoria RAM se utiliza frecuentemente para describir a los módulos de memoria utilizados en las computadoras personales y servidores.
La RAM es solo una variedad de la memoria de acceso aleatorio: las ROM, memorias Flash, caché (SRAM), los registros en procesadores y otras unidades de procesamiento también poseen la cualidad de presentar retardos de acceso iguales para cualquier posición.
Los módulos de RAM son la presentación comercial de este tipo de memoria, que se compone de circuitos integrados soldados sobre un circuito impreso independiente, en otros dispositivos como las consolas de videojuegos, la RAM va soldada directamente sobre la placa principal.
Módulos de RAM thumb|Formato SO-DIMM.
Los módulos de RAM son tarjetas o placas de circuito impreso que tienen soldados chips de memoria DRAM, por una o ambas caras.
La implementación DRAM se basa en una topología de circuito eléctrico que permite alcanzar densidades altas de memoria por cantidad de transistores, logrando integrados de cientos o miles de megabits. Además de DRAM, los módulos poseen un integrado que permiten la identificación de los mismos ante la computadora por medio del protocolo de comunicación Serial Presence Detect (SPD).
La conexión con los demás componentes se realiza por medio de un área de pines en uno de los filos del circuito impreso, que permiten que el módulo al ser instalado en un zócalo o ranura apropiada de la placa base, tenga buen contacto eléctrico con los controladores de memoria y las fuentes de alimentación.
La necesidad de hacer intercambiable los módulos, y de utilizar integrados de distintos fabricantes, condujo al establecimiento de estándares de la industria como los Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC).
Paquete DIP (Dual In-line Package, paquete de pines en-línea doble). Paquete SIPP (Single In-line Pin Package, paquete de pines en-línea simple): fueron los primeros módulos comerciales de memoria, de formato propietario, es decir, no había un estándar entre distintas marcas. Módulos RIMM (Rambus In-line Memory Module, módulo de memoria en-línea rambus): Fueron otros módulos propietarios bastante conocidos, ideados por la empresa RAMBUS.