right|thumb|Tyypillisen IGBT-transistorin halkileikkaus, jossa näkyvät bipolaaritransistori ja MOSFET. thumb|IGBT-moduuli, jossa on neljä IGBT-transistoria, jokainen johtaa 1,2 kA ja maksimijännite on 3,3 kV. thumb|Avattu IGBT-moduuli, jossa on kaksi IGBT-transistoria. Tämä on hyvin tyypillinen suuritehoisen IGBT-moduulin rakenne. thumb|Kaksi IGBT-moduulia H-silta-kytkennässä. Eristyshilainen bipolaaritransistori eli IGBT () on suurtehosovelluksiin kehitetty bipolaaritransistori, jonka hila on MOSFETin tavoin eristetty kanavasta. Tämä tarkoittaa käytännössä sitä että IGBT:ssä on sekä bipolaaritransistori että MOSFET yhdessä. IGBT muistuttaakin kollektorilta päin katsottuna bipolaaritransistoria, mutta sen ohjaus toteutuu MOSFETilla.Mikko Esala: Transistorit, s. 6
IGBT kestää suuren virran kiinni-tilassa, ja suuren jännitteen auki-tilassa, ja se on tarkoitettu tehoelektroniikan kytkinkäyttöön, yhtenä yleisenä käyttökohteena taajuusmuuttajat. IGBT:n jäähdytyselementin ei tarvitse olla suuri, koska sillä on pienet jännite- ja tehohäviöt, jolloin se ei tuota toimiessaan kovin voimakkaasti lämpöä, toisin kuin MOSFET tai bipolaaritransistori.Mikko Esala: Transistorit, s. 6
Ohjaus
IGBT:n ohjaus ei vaadi monimutkaisia kytkentöjä, sen ohjaus onnistuu samalla tavoin kuin MOSFETilla. IGBT on hidas kyllästystilasta (auki-tila) sulkutilaan, koska hilan varauksenkuljettajat voivat poistua vain rekombinaatiolla. Ne on siis purettava transistoria suljettaessa esimerkiksi vastuksen kautta takaisin kollektorille.Mikko Esala: Transistorit, s. 6 Ohjaus onnistuu myös ilman purkuvastusta esimerkiksi hilamuuntajaa käyttäen, jolloin on käytettävä hilavastusta ja tarvittaessa myös nopeaa purkudiodia.
Lähteet
Kirjallisuutta
Luokka:Transistorit