サイモン・ミン・ジィー（Simon Min Sze、施敏、1936年 - 2023年11月6日）は、中国系アメリカ人の電気工学者。国立陽明交通大学終身教授、国立台湾科技大学名誉教授。1967年にダウォン・カーンとともに浮遊ゲートMOSFETを発明したことで最も有名。
来歴 中国の南京市で生まれ台湾で育った。1957年に国立台湾大学を卒業し、1960年にワシントン大学で修士号を取得し、1963年にスタンフォード大学で博士号を取得した。1990年までベル研究所で働き、その後台湾に戻り国立交通大学の教員となった。
2023年11月6日に死去。87歳没。
業績 現在不揮発性半導体メモリデバイスに広く使用されている浮遊ゲートMOSFETを1967年に発見したこと（ダウォン・カーンとともに）を含む半導体物理学及びテクノロジーにおける研究で知られるD. Kahng and S. M. Sze, A floating-gate and its application to memory devices, The Bell System Technical Journal, 46, #4 (1967), pp. 1288–1295.。半導体の分野で最も引用される教科書の1つである『半導体デバイス―基礎理論とプロセス技術―』(Physics of Semiconductor Devices)を含む多くの本を著している。1991年に電子デバイスへの功績によりJ J Ebers Awardを受賞したElectron Devices Society J.J. Ebers Award, web page at the IEEE, accessed 11-I-2007.。
受賞歴 1977年 - IEEE Fellow 1991年 - J. J. エバース賞 1994年 - 中央研究院院士 1995年 - 全米技術アカデミー会員 1998年 - 中国工程院外国人会員 2017年 - IEEE セレブレーションメンバー 2021年 - 未来科学大賞数学・計算機科学賞Dr. Simon Min Sze wins the Future Science Prize
著書 Physics of Semiconductor Devices, S. M. Sze. New York: Wiley, 1969, ; 2nd ed., 1981, ; 3rd ed., with Kwok K. Ng, 2006, . Nonvolatile Memories: Materials, Devices and Applications 2-volume set, Tseung-Yuen Tseng and Simon M. Sze. Los Angeles: American Scientific Publishers, 2012; . Semiconductor Devices: Physics and Technology, S. M. Sze. New York: Wiley, 1985; 2nd ed., 2001, ; 3rd ed., 2012, .
VLSI Technology, ed. S. M. Sze. New York: McGraw-Hill, 1983, ; 2nd ed., 1988, . Modern Semiconductor Device Physics, ed. S. M. Sze. New York: John Wiley & Sons, Inc., 1998, .
出典