ナローギャップ半導体（ナローギャップはんどうたい）とは、バンドギャップがケイ素に比べて比較的小さい（室温で1.11eVより小さい）半導体のこと。や熱電変換素子などに用いられる。
ナローギャップ半導体の一覧 +名前化学式グループバンドギャップ(300K)テルル化カドミウム水銀Hg1-xCdxTeII-VI0 から 1.5eVテルル化亜鉛水銀Hg1-xZnxTeII-VI -0.15 から 2.25 eVセレン化鉛PbSeIV-VI0.27 eV硫化鉛(II)PbSIV-VI0.37 eVテルル化鉛PbTeIV-VI0.32 eVヒ化インジウムInAsIII-V0.354 eVアンチモン化インジウムInSbIII-V0.17 eVアンチモン化ガリウムGaSbIII-V0.67 eVヒ化カドミウムCd3As2II-V0.5 から 0.6 eVテルル化ビスマスBi2Te30.21 eVテルル化スズSnTeIV-VI0.18 eVセレン化スズSnSeIV-VI0.18 eVセレン化銀(I)Ag2Se0.07 eVケイ化マグネシウムMg2SiII-IV0.73 eVNelson, J. T. Electrical and optical properties of MgPSn and MggSi. Am. J. Phys. 23: 390. 1955.
脚注
関連項目
半導体材料一覧 ワイドバンドギャップ半導体
参考資料
Nelson, J. T. Electrical and optical properties of MgPSn and MggSi. Am. J. Phys. 23: 390. 1955.
Dornhaus, R., Nimtz, G., Schlicht, B. (1983). Narrow-Gap Semiconductors. Springer Tracts in Modern Physics 98, (print) (online) Nimtz, G. (1980), Recombination in Narrow-Gap Semiconductors, Physics Reports, 63, 265-300