電子注入促進型絶縁ゲートトランジスタ（でんしちゅうにゅうそくしんがたぜつえんゲートトランジスタ、、IEGT）は半導体素子のひとつで、絶縁ゲートバイポーラトランジスタの構造を改良したパワーデバイスである。https://toshiba.semicon-storage.com/jp/semiconductor/product/igbts-iegts/iegt-ppi.html

脚注

関連項目 ゲートターンオフサイリスタ (Gate Turn Off Thyristor, GTO) サイラトロン 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ

外部リンク IEGT (PPI)｜東芝デバイス&ストレージ株式会社