DDR4 SDRAM () — четвёртое поколение оперативной памяти, являющееся эволюционным развитием предыдущих поколений DDR SDRAM. Отличается повышенными частотными характеристиками и пониженным напряжением питания.
Основное отличие DDR4 от предыдущего стандарта DDR3 заключается в удвоенном до 16 числе внутренних банков (в 2 группах банков), что позволило увеличить скорость передачи внешней шины. Пропускная способность памяти DDR4 в перспективе может достигать 25,6 ГБ/c (в случае повышения максимальной эффективной частоты до 3200 МГц). Кроме того, повышена надёжность работы за счёт введения механизма контроля чётности на шинах адреса и команд. Изначально стандарт DDR4 определял частоты от 1600 до 2400 МГц с перспективой роста до 3200 МГцСледует учесть, что эффективная частота отличается от частоты тактирования шины. Под эффективной частотой понимается защелкивание данных по переднему и заднему фронтам. В связи с этим, реальная тактовая частота работы шины памяти в два раза меньше относительно эффективной частоты, см илл. Figure 4 из статьи .
В массовое производство вышла во 2 квартале 2014 года, сперва только ECC-память, а в следующем квартале начались продажи и не-ECC модулей DDR4, вместе с процессорами Intel Haswell-E/Haswell-EP, требующими DDR4.
Разработка
Ранние работы по проектированию следующего за DDR3 стандарта оперативной памяти начались в JEDEC около 2005 года, примерно за два года до запуска DDR3 в 2007. Основы архитектуры DDR4 планировалось согласовать в 2008 году.
JEDEC представила информацию о DDR4 в 2010 году на конференции MemCon в Токио. Судя по слайдам «Time to rethink DDR4», новинка должна иметь и повышенную эффективную частоту (от 2 133 до 4 266 МГц), и пониженное напряжение (от 1,3 до 1,1 В) по сравнению с предыдущими стандартами, предполагаемый техпроцесс — 32 и 36 нм. Массовое производство намечалось на 2015 год, а первые образцы для создания контроллеров памяти и совместимых платформ — на 2011 год.
В январе 2011 года компания Samsung представила модуль DDR4. Техпроцесс составил 30 нм, объём памяти — 2 ГБ, а напряжение — 1,2 В. Позднее Hynix представила свой первый модуль DDR4, который превзошёл модуль Samsung по частоте (2400 МГц вместо 2133). Hynix заявила о 80-процентном увеличении производительности памяти по сравнению с DDR3-1333.
В сентябре 2012 года JEDEC опубликовала финальный вариант спецификации DDR4. Последняя ревизия стандарта DDR4 была принята в ноябре 2013 года, стандарт на LPDDR4 — в августе 2014 года.
По оценке компании Intel от апреля 2013 года, уже в 2014 году DDR4 могла бы стать основным типом памяти DRAM, и в 2015 году практически полностью вытеснить использовавшуюся ранее DDR3. По данным Intel, DDR4 потребляет на 35 % меньше энергии, чем DDR3L, а по пропускной способности превосходит память предыдущего поколения на 50 %. Однако внедрение DDR4 началось позднее, и эта память займет большую часть рынка не ранее 2016 года. В 2017 году продажи памяти DDR4 превзошли модули стандарта DDR3.
Характеристики
Пропускная способность Для расчёта максимальной пропускной способности памяти DDR4 необходимо её эффективную частоту умножить на 8 байт (64 бита), то есть на размер данных, который может быть передан за 1 такт работы памяти. Таким образом: Для памяти с эффективной частотой 2133 МГц максимальная пропускная способность составит 2133 × 8 = 17 064 МБ/c Для памяти с эффективной частотой 3200 МГц (наибольшая частота, изначально определённая стандартом) максимальная пропускная способность составит 3200 × 8 = 25 600 МБ/c
Нужно учитывать, что из-за временны́х ограничений по взаимодействию с микросхемами памяти, в частности для (регенерации), реальная пропускная способность на 5—10 % меньше, чем рассчитанная выше.
Современные материнские платы поддерживают многоканальные режимы работы памяти. Таким образом, итоговая эффективная пропускная способность памяти системы будет равняться пропускной способности DDR4, умноженной на количество используемых каналов.
Изначально предполагалось, что для работы DDR4 на максимальных частотах (3200 МГц) потребуется использование лишь одного модуля памяти DDR4 на канал передачи данных (прямое подключение напрямую к контроллеру с топологией точка-точкаhttp://www.eda.org/ibis/summits/nov12b/pytel2.pdf «DDR4 architecture is point to point • One controller to 1 DIMM»http://www.extremetech.com/computing/158824-haswell-e-to-offer-ddr4-support-up-to-eight-cores-in-2014 «Where DDR3 used a multi-drop bus that allowed multiple DIMMs to sit on the same memory channel, DDR4 virtually requires the use of a point-to-point bus with a maximum of one DIMM per RAM channel.»). При работе на меньших частотах, например 1866 и 2133 МГц, контроллеры памяти некоторых процессоров, в частности, Skylake (2015), могут использовать до 2 модулей памяти на каналhttp://ark.intel.com/ru/products/90591 «Кол-во модулей DIMM на канал 2»http://www.intel.com/content/www/us/en/processors/core/desktop-6th-gen-core-family-datasheet-vol-1.html «Table 2-1. Processor DRAM Support Matrix — DIMM Per Channel DPC 2». Для серверных систем используются модули RDIMM DDR4 и ожидается появление модулей LRDIMM DDR4, использующих буферные микросхемы вблизи контактов модуля. Такая память сможет устанавливаться в количестве до 3 модулей на канал, при использовании совместимых платформ.. +Спецификации стандартовСтандартное названиеЧастота памяти, МГцЧастота шины, МГцЭффективная (удвоенная) скорость, млн передач/сНазвание модуляПропускная способность, МБ/сТайминги CL-tRCD-tRPВремя цикла, нсDDR4-1600J* DDR4-1600K
DDR4-1600L2008001600PC4-1280012 80010-10-10 11-11-11
12-12-1212,5 13,75
15DDR4-1866L* DDR4-1866M
DDR4-1866N233,33933,331866,67PC4-1490014 933,3312-12-12 13-13-13
14-14-1412,857 13,929
15DDR4-2133N* DDR4-2133P
DDR4-2133R266,671066,672133,33PC4-1700017 066,6714-14-14 15-15-15
16-16-1613,125 14,063
15DDR4-2400P* DDR4-2400R
DDR4-2400T
DDR4-2400U30012002400PC4-1920019 20015-15-15 16-16-16
17-17-17
18-18-1812,5 13,32
14,16
15DDR4-2666T DDR4-2666U
DDR4-2666V
DDR4-2666W333,331333,332666,67PC4-2130021 33317-17-17 18-18-18
19-19-19
20-20-2012,75 13,50
14,25
15DDR4-2933V DDR4-2933W
DDR4-2933Y
DDR4-2933AA366,671466,672933,33PC4-2346623 46619-19-19 20-20-20
21-21-21
22-22-2212,96 13,64
14,32
15DDR4-3200W DDR4-3200AA
DDR4-3200AC40016003200PC4-2560025 60020-20-20 22-22-22
24-24-2412,50 13,75
15DDR5 -4800 — 8400
В сентябре 2014 года были продемонстрированы модули памяти с частотой 3333 МГц (и максимальной пропускной способностью 26 664 МБ/c), что превзошло частоту, изначально определённую стандартом.
В ноябре 2015 года были продемонстрированы модули памяти с частотой 4133 МГц.
Объём модулей Объём кристалла DDR4 составляет от 2 до 16 Гбит, организация модулей памяти — ×4, ×8 или ×16 банков. Минимальный объём одного модуля DDR4 составляет 4 ГБ, максимальный — 128 ГБ (кристаллы по 8 Гбит, упаковка 4 кристаллов в чип). Не исключается производство модулей объёмом в 512 ГБ на базе кристаллов 16 Гбит и упаковке 8 кристаллов в чип.
Размеры модулей DDR4 имеет 288-контактные DIMM-модули, схожие по внешнему виду с 240-контактными DIMM DDR-2/DDR-3. Контакты расположены плотнее (0,85 мм вместо 1,0), чтобы разместить их на стандартном 5¼-дюймовом (133,35 мм) слоте DIMM. Высота увеличивается незначительно (31,25 мм вместо 30,35).
DDR4 модули SO-DIMM имеют 260 контактовhttp://www.jedec.org/standards-documents/results/ddr4 — 260-Pin, 1.2 V (VDD), PC4-1600/PC4-1866/PC4-2133/PC4-2400/PC4-2666/PC4-3200 DDR4 SDRAM SO-DIMM Design Specification Release Number: 24, Item 2228.07B MODULE4_20_25 Aug 2014 (а не 240), которые расположены ближе друг к другу (0,5 мм, а не 0,6). Модуль стал на 1,0 мм шире (68,6 мм вместо 67,6), но сохранил ту же высоту — 30 мм.
Прочее Отраслевой стандарт оперативной памяти DDR4, описанный в DDR4 SDRAM STANDARD JEDEC JESD79-4, не содержит каких-либо сведений о наличии функций аппаратного шифрования информации.
Модули памяти с б/у чипами В 2023 году на рынке появились модули DDR4, сделанные из чипов, снятых с б/у серверной памяти, которые продаются под видом новых. Аналитики TrendForce заявили что речь идёт не о единичных случаях, а о массовом явлении. Так, небольшие фирмы за бесценок скупают старые модули DDR4 у дата-центров, переходящих на DDR5, разбирают их на чипы и используют такие чипы для выпуска «новых» потребительских планок DDR4. Сообщается, что «пересобранные» модули имеют скорость DDR4-3200 и основываются на чипах SK Hynix и Samsung, однако отличить их от новых практически невозможно. Чипы памяти имеют длительный жизненный цикл, поэтому модули на «старых» чипах не демонстрируют меньшую надёжность. Практика с выпуском модулей DDR4 на б/у чипах, вероятно, сохранится.
См. также DDR5 SDRAM
Примечания
Ссылки Стандарт памяти DDR4 на сайте Kingston (сентябрь 2014) Зачем переходить на DDR4?, Блог компании Intel на блог-платформе Habrahabr.ru, 20 декабря 2013 «DDR4 — Advantages of Migrating from DDR3», Micron, 2012
Категория:DRAM