thumb|Schemasymbol för tunneldiod thumb|1N3716 tunneldiod tillsammans med en bygling En tunneldiod eller Esaki-diod är en typ av halvledare som är kapabel till att användas högt upp i frekvens, väl inom mikrovågsfrekvensområdet, genom att använda sig av kvantmekaniska effekter.
Tunneldioden uppfanns i augusti 1957 av Leo Esaki när han arbetade för Tokyo Tsushin Kogyo, sedermera Sony. Esaki fick 1973 nobelpriset i fysik för att ha upptäckt tunneleffekten som används i dessa dioder.
Dessa dioder har en kraftigt dopad PN-övergång som typiskt är bara 10 nm (100 Å) bred. Den hårda dopningen resulterar i ett brutet bandgap där ledningsbandselektroner på n-sidan är mer eller mindre i nivå med valensbandet på p-sidan.
Tunneldioder används bland annat för att upprätthålla oscillationer i och med sin negativa resistans.
Källor Artikeln är helt eller delvis baserad på engelskspråkiga Wikipedia
Kategori:Dioder