Aquest article detalla la història de l'enginyeria electrònica . El Chambers Twentieth Century Dictionary (1972) defineix l'electrònica com "la ciència i la tecnologia de la conducció d'electricitat en el buit, un gas o un semiconductor, i els dispositius basats en això".Chambers Twentieth Century Dictionary, W & R Chambers, Edinburgh, 1972, page 417,
Enginyeria electrònica miniatura|Fotografia d'un dispositiu electrònic L'enginyeria electrònica com a professió va sorgir de les millores tecnològiques en la indústria telegràfica durant finals del segle XIX i en les indústries de la ràdio i la telefonia durant principis del segle XX. La gent es va acostar a la ràdio, atreta per la fascinació tècnica que inspirava, primer en la recepció i després en la transmissió. Molts dels que van entrar a la radiodifusió a la dècada de 1920 s'havien convertit en "aficionats" en el període anterior a la Primera Guerra Mundial .Erik Barnouw A Tower in Babel, p. 28, Oxford University Press US, 1966 La disciplina moderna de l'enginyeria electrònica va néixer en gran manera a partir del desenvolupament d'equips telefònics, de ràdio i de televisió i de la gran quantitat de desenvolupament de sistemes electrònics durant la Segona Guerra Mundial, com ara radar, sonar, sistemes de comunicació i municions i sistemes d'armes avançats. Durant el període d'entreguerres, la matèria era coneguda com a enginyeria radioelèctrica . La paraula electrònica va començar a utilitzar-se a la dècada del 1940 A finals de la dècada del 1950, va començar a sorgir el terme enginyeria electrònica .
Laboratoris electrònics (per exemple, els Laboratoris Bell) ) creat i subvencionat per grans corporacions de les indústries d'equips de ràdio, televisió i telefonia, va començar a produir una sèrie d'avenços electrònics. La indústria electrònica va ser revolucionada per les invencions del primer transistor el 1948, el xip de circuit integrat el 1959, Daniel Todd The World Electronics Industry, p. 55, Taylor & Francis, 1990 i el MOSFET de silici (transistor d'efecte de camp de metall-òxid-semiconductor) el 1959. Al Regne Unit, l'enginyeria electrònica es va diferenciar de l'enginyeria elèctrica com a assignatura universitària al voltant del 1960. (Abans d'aquesta època, els estudiants d'electrònica i matèries relacionades com la ràdio i les telecomunicacions havien de matricular-se al departament d'enginyeria elèctrica de la universitat, ja que cap universitat tenia departaments d'electrònica. L'enginyeria elèctrica era l'assignatura més propera amb la qual es podia alinear l'enginyeria electrònica, tot i que les similituds en les matèries tractades (excepte les matemàtiques i l'electromagnetisme) només van durar durant el primer any dels cursos de tres anys.)
L'enginyeria electrònica (fins i tot abans d'adquirir el nom) va facilitar el desenvolupament de moltes tecnologies, com ara la telegrafia sense fil, la ràdio, la televisió, el radar, els ordinadors i els microprocessadors .
Telegrafia i ràdio sense fils miniatura|1887 Diagrama experimental d'un aparell de Hertz. Alguns dels elements que permetrien la telegrafia sense fil es van inventar abans del 1900. Aquests inclouen el transmissor de circuit imprès i el cohesor amb demostracions primerenques i troballes publicades per David Edward Hughes (1880) i Heinrich Rudolf Hertz (1887 a 1890) i més incorporacions al camp per Édouard Branly, Nikola Tesla, Oliver Lodge, Jagadish Chandra Bose i Ferdinand Braun . El 1896, Guglielmo Marconi va desenvolupar el primer sistema de comunicació basat en ones de ràdio, pràctic i àmpliament utilitzat.Bryan H. Bunch/Alexander Hellemans The History of Science and Technology, p. 436, Houghton Mifflin Harcourt, 2004 Wireless TelegraphyProceedings of the Institute of Radio Engineers pp. 101-5
La comunicació per ones mil·limètriques va ser investigada per primera vegada per Jagadish Chandra Bose entre 1894 1896, quan va assolir una freqüència extremadament alta de fins a 60GHz en els seus experiments. També va introduir l'ús de les unions semiconductores per detectar ones de ràdio, reprinted in Igor Grigorov, Ed., Antentop, Vol. 2, No.3, pp. 87–96. quan va patentar el detector de cristalls de ràdio el 1901.
El 1904, John Ambrose Fleming, el primer professor d'enginyeria elèctrica a la University College de Londres, va inventar el primer tub de ràdio, el díode . Aleshores, el 1906, Robert von Lieben i Lee De Forest van desenvolupar independentment la vàlvula amplificadora, anomenada tríode . Sovint es considera que l'electrònica va començar amb la invenció del díode. En 10 anys, el dispositiu es va utilitzar en transmissors i receptors de ràdio, així com en sistemes per a trucades telefòniques de llarga distància.
La invenció de l'amplificador, el generador i el detector de tríode va fer que la comunicació d'àudio per ràdio fos pràctica. (Les transmissions de Reginald Fessenden de 1906 utilitzaven un alternador electromecànic.) El 1912, Edwin H. Armstrong va inventar l'amplificador i l'oscil·lador de retroalimentació regenerativa; també va inventar el receptor de ràdio superheterodí i es podria considerar el pare de la ràdio moderna.Paul J. Nahin The Science of Radio, pp. xxxv-vi, Springer, 2001
El primer programa de notícies de ràdio conegut va ser emès el 31 d'agost de 1920 per l'emissora 8MK, la predecessora sense llicència de WWJ (AM) a Detroit, Michigan. Les emissions sense fil regulars per a entreteniment van començar el 1922 des del Centre de Recerca Marconi a Writtle, prop de Chelmsford, Anglaterra . L'emissora era coneguda com a 2MT i va ser seguida per 2LO, que emetia des de Strand, Londres .
Mentre que algunes de les primeres ràdios utilitzaven algun tipus d'amplificació mitjançant corrent elèctric o bateria, a mitjans de la dècada de 1920 el tipus de receptor més comú era el de cristall . A la dècada del 1920, l'amplificació de vàlvules de buit va revolucionar tant els receptors com els transmissors de ràdio.
Els tubs de buit van seguir sent el dispositiu d'amplificació preferit durant 40 anys, fins que uns investigadors que treballaven per a William Shockley als Bell Labs van inventar el transistor el 1947. En els anys següents, els transistors van fer possibles petites ràdios portàtils, o ràdios de transistors, i també van permetre la construcció d'ordinadors centrals més potents. Els transistors eren més petits i necessitaven voltatges més baixos que les vàlvules de buit per funcionar.
Abans de la invenció del circuit integrat el 1959, els circuits electrònics es construïen a partir de components discrets que es podien manipular a mà. Aquests circuits no integrats consumien molt espai i energia, eren propensos a fallar i tenien una velocitat limitada, tot i que encara són comuns en aplicacions simples. En canvi, els circuits integrats empaquetaven un gran nombre (sovint milions) de components elèctrics diminuts, principalment transistors, en un petit xip de la mida d'una moneda .David A. Hodges/Horace G. Jackson/Resve A. Saleh Analysis and Design of Digital Integrated Circuits, p. 2, McGraw-Hill Professional, 2003
Televisió El 1927, Philo Farnsworth va fer la primera demostració pública d'un televisor purament electrònic . Durant la dècada del 1930, diversos països van començar a emetre, i després de la Segona Guerra Mundial es va estendre a milions de receptors, finalment a tot el món. Des de llavors, l'electrònica ha estat plenament present als televisors.
Els televisors i les pantalles de vídeo moderns han evolucionat de la tecnologia de tubs electrònics voluminosos a utilitzar dispositius més compactes, com ara pantalles de plasma i de cristall líquid . La tendència és cap a dispositius de menor potència, com ara les pantalles de díodes emissors de llum orgànics, i és molt probable que substitueixin les tecnologies LCD i plasma.Joseph Shinar Organic Light-Emitting Devices, p. 45, 2003
Localització per radar i ràdio Durant la Segona Guerra Mundial, es van fer molts esforços en la localització electrònica d'objectius i avions enemics. Aquests incloïen el guiatge per feix de ràdio dels bombarders, les contramesures electròniques, els primers sistemes de radar, etc. Durant aquest temps, es va dedicar molt poc o cap esforç al desenvolupament de l'electrònica de consum .Martin L. Van Creveld Technology and War, pp. 267-8, Simon and Schuster, 1991
Transistors i circuits integrats miniatura| John Bardeen, William Shockley i Walter Brattain van inventar el primer transistor funcional (1947). El primer transistor que va funcionar va ser un transistor de contacte inventat per John Bardeen i Walter Houser Brattain als Bell Telephone Laboratories (BTL) el 1947. William Shockley va inventar el transistor de unió bipolar a BTL el 1948. Tot i que els primers transistors de unió eren dispositius relativament voluminosos que eren difícils de fabricar en massa van obrir la porta a dispositius més compactes. miniatura| Robert Noyce va inventar el xip de circuit integrat monolític (1959). Els primers circuits integrats van ser el circuit integrat híbrid inventat per Jack Kilby a Texas Instruments el 1958 i el xip de circuit integrat monolític inventat per Robert Noyce a Fairchild Semiconductor el 1959.
El 1957, Frosch i Derick van poder fabricar els primers transistors planars d'efecte de camp de diòxid de silici als laboratoris Bell, els primers transistors en què el drenador i la font eren adjacents a la mateixa superfície. Posteriorment, un equip de Bell Labs va demostrar un MOSFET funcional el 1960. Un memoràndum de Bell Labs escrit per Dawon Kahng descriu l'equip: EE LaBate i EI Povilonis, que van fabricar el dispositiu; MO Thurston, LA D'Asaro i JR Ligenza, que van desenvolupar els processos de difusió, i HK Gummel i R. Lindner, que van caracteritzar el dispositiu. El MOSFET va ser el primer transistor realment compacte que es podia miniaturitzar i produir en massa per a una àmplia gamma d'usos. Va revolucionar la indústria electrònica, convertint-se en el dispositiu electrònic més utilitzat del món. El MOSFET és l'element bàsic de la majoria d'equips electrònics moderns.
El MOSFET va permetre construir xips de circuits integrats d'alta densitat . El primer xip de circuit integrat MOS experimental que es va fabricar va ser construït per Fred Heiman i Steven Hofstein als Laboratoris RCA el 1962. La tecnologia MOS va permetre la llei de Moore, la duplicació de transistors en un xip IC cada dos anys, predita per Gordon Moore el 1965. La tecnologia MOS de porta de silici va ser desenvolupada per Federico Faggin a Fairchild el 1968. Des de llavors, la producció en massa de MOSFET de silici i xips de circuits integrats MOS, juntament amb la miniaturització contínua d'escalat MOSFET a un ritme exponencial (tal com prediu la llei de Moore ), ha conduït a canvis revolucionaris en la tecnologia, l'economia, la cultura i el pensament.
Ordinadors Considerant un ordinador una màquina programable que rep informació d'entrada, emmagatzema i manipula dades, i proporciona una sortida en un format útil.